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3400B A09T-TD(56K)

場效應管(MOSFET)

場效應管(MOSFET)

場效應管(MOSFET) SOT-23 手冊量產型號 現貨供應

採用先進的溝槽技術,可實現出色的導通電阻RDS(ON)、低柵極電荷以及適用於超低導通電阻的高密度單元設計。該器件適用於作爲負載開關或用於PWM應用。

型號
3400B A09T-TD(56K)
品類
場效應管(MOSFET)
漏源電壓
30V
連續漏極電流
5.8A
導通電阻(RDS(on))
30mΩ@4.5V
耗散功率
1.5W
產品參數
漏源電壓30V
連續漏極電流5.8A
導通電阻(RDS(on))30mΩ@4.5V
耗散功率1.5W
閾值電壓(Vgs(th))1.0V~2.5V@250μA
類型N溝道
封裝SOT-23
工作溫度-55℃~+150℃
階梯價格現貨供應
說明:以上爲公開參考價,實際成交價隨訂購數量、交期與結算方式確定。批量採購、樣品申請與正式報價請聯繫我方銷售。
訂購數量(只)單價(元/只)
1-9¥ 0.18
10-29¥ 0.14
30-149¥ 0.12
150-449¥ 0.10
450-1049¥ 0.09
1050+¥ 0.09
相關資料

3400BA09T-TD(56K) 數據手冊索引

收錄於《2026 Q2 量產產品手冊》第 70 頁

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