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15N65-TD

場效應管(MOSFET)

場效應管(MOSFET)

場效應管(MOSFET) TO-220 手冊量產型號 現貨供應

N溝道 漏源電壓(Vdss):650V 連續漏極電流(Id):12A 封裝:TO-220。適用於電源開關、電機驅動等高功率應用,具備低導通電阻特性,提高電路效率。

型號
15N65-TD
品類
場效應管(MOSFET)
漏源電壓
650V
連續漏極電流
12A
導通電阻(RDS(on))
0.8Ω@10V
耗散功率
50W
產品參數
漏源電壓650V
連續漏極電流12A
導通電阻(RDS(on))0.8Ω@10V
耗散功率50W
閾值電壓(Vgs(th))4V@250uA
類型N溝道
封裝TO-220
工作溫度-55℃~+150℃
階梯價格現貨供應
說明:以上爲公開參考價,實際成交價隨訂購數量、交期與結算方式確定。批量採購、樣品申請與正式報價請聯繫我方銷售。
訂購數量(只)單價(元/只)
1-9¥ 4.11
10-49¥ 3.31
50-99¥ 2.91
100-499¥ 2.51
500-999¥ 2.27
1000+¥ 2.15
相關資料

15N65-TD 數據手冊索引

收錄於《2026 Q2 量產產品手冊》第 70 頁

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